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国内刊号：11-1421/N
国际刊号：1000-7857
发布日期:
作者：朱鹏飞, 杨静泊, 刘梦洋, 李梦姣
单位：上海大学微电子学院，上海201800；
关键词：二维材料,可重构晶体管,非易失性,可重构电路,电荷俘获
基金：国家重点研发计划项目(2024YFA1211500)
随着数字经济的蓬勃发展，全球数据量正呈指数级增长。据国际数据公司（International Data Corporation，IDC）预测，到2025年全球数据总量将达175 ZB，这对计算硬件的处理能力提出了前所未有的要求[1]。然而，延续半个多世纪的摩尔定律正面临严峻挑战：晶体管特征尺寸逼近物理极限，传统硅基互补金属氧化物半导体（complementary metal oxide semiconductor，CMOS）技术遭遇了短沟道效应和量子隧穿效应等基础物理现象限制，而供电电压的持续降低也受到玻尔兹曼极限的约束[2−5]。
来源：2026年第5期
《科技导报》期刊编辑部
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