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国内刊号：11-1421/N
国际刊号：1000-7857
发布日期:
作者：何子涵, 张涛*, 任泽阳, 张进成
单位：西安电子科技大学宽禁带半导体器件与集成技术全国重点实验室，西安710071；
关键词：氮化镓,肖特基二极管,凹槽阳极,低功函数金属
宽禁带半导体作为21世纪材料科学的重大突破之一，凭借其独特的物理特性，显著拓展了半导体器件的性能边界和应用边界，支撑了移动通信、人工智能、清洁能源等技术革命性的突破。第3代半导体氮化镓（GaN）具有禁带宽度大（~3.4 eV）、击穿场强高（~3.3 MV/cm）、电子迁移率高（~2000 cm2/Vs）、介电常数大（~9.5）等优势，是高功率电子器件研制中最具优势的材料之一[1−2]，已成为宽禁带半导体电子器件研究的主流。对于GaN肖特基势垒二极管（schottky barrier diode，SBD）而言，由于受到材料外延、器件制备、封装技术等方面的限制，导致器件无法最大限度逼近其理论极限；另外，肖特基势垒二极管器件正向开启电压与反向泄漏电流之间存在相互制约的钳制关系，进一步限制了器件的工作效率，通过优化材料生长方式及器件制备工艺能够有效缓解上述问题。
来源：2025年第17期
《科技导报》期刊编辑部
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