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国内刊号：11-1421/N
国际刊号：1000-7857
发布日期:
该研究团队从拓扑半导体中设计出外尔半金属。他们精准地调整了碲化铋的化学成分，用铬替代铋，从而合成(Cr, Bi)2Te3。与以往的外尔半金属不同，(Cr, Bi)2Te3具有独特的简单电子结构，仅含一对外尔费米子且不存在无关电子态。这一结构使科学家能够观测到巨大的反常霍尔效应（霍尔角高达约0.5）。
来源：2025年第3期
《科技导报》期刊编辑部
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